О модели
Описание
VISHAY SQ2309ES-T1_GE3. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23; Напряжение сток-исток — -60В; Ток стока — -1,7А.
Сопротивление в открытом состоянии — 704мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 2Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 8,5нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — -6,8А.
Перед заказом проверьте артикул SQ2309ES-T1_GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT23
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SQ2309ES-T1_GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
