VISHAY · Полупроводники

VISHAY SQ1431EH-T1_GE3 — Транзисторы с каналом P SMD

MPN / артикул: SQ1431EH-T1_GE3

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -3А; Idm: -12А; 3Вт

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSQ1431EH-T1_GE3
РазделПолупроводники
Единицашт

Монтаж: SMD · Корпус: SOT363 · Корпус: SC70-6 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD

Фото товара

VISHAY SQ1431EH-T1_GE3 — Транзисторы с каналом P SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

VISHAY SQ1431EH-T1_GE3. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SC70-6; SOT363; Напряжение сток-исток — -30В; Ток стока — -3А.

Сопротивление в открытом состоянии — 0,3Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 3Вт; Полярность — полевой.

Заряд затвора — 6,5нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.

Ток стока в импульсном режиме — -12А.

Перед заказом проверьте артикул SQ1431EH-T1_GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Монтаж
SMD
Корпус
SC70-6, SOT363
Тип транзистора
P-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
SQ1431EH-T1_GE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.