О модели
Описание
VISHAY SI1411DH-T1-GE3. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SC70-6; SOT363; Напряжение сток-исток — -150В; Ток стока — -0,38А.
Сопротивление в открытом состоянии — 2,6Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 0,81Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 4,2нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул SI1411DH-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SC70-6, SOT363
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SI1411DH-T1-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
