О модели
Описание
VISHAY SIHB12N65E-GE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 8 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; TO263.
Напряжение сток-исток — 650В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,38Ом; Рассеиваемая мощность — 156Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 70нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В; Ток стока в импульсном режиме — 28А.
Перед заказом проверьте артикул SIHB12N65E-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 8 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK, TO263
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SIHB12N65E-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
