VISHAY · Полупроводники

VISHAY SIHB12N60ET1-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD

MPN / артикул: SIHB12N60ET1-GE3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7,8А; Idm: 27А; 147Вт

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSIHB12N60ET1-GE3
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 7,8 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Корпус: TO263 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD

Фото товара

VISHAY SIHB12N60ET1-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.
О модели

Описание

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7,8А; Idm: 27А; 147Вт

Перед заказом проверьте артикул SIHB12N60ET1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Единица продажи
шт
Артикул производителя
SIHB12N60ET1-GE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.

Подбор по фотоШильдик и описание Загрузить BOMXLS, XLSX, DOCX, CSV