VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SI2377EDS-T1-GE3 — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: SI2377EDS-T1-GE3
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,5А; 1,1Вт; SOT23; ESD
Монтаж: SMD · Корпус: SOT23 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
VISHAY SI2377EDS-T1-GE3. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23; Напряжение сток-исток — -20В; Ток стока — -3,5А.
Сопротивление в открытом состоянии — 61мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 1,1Вт; Полярность — полевой.
Версия — ESD; Заряд затвора — 7,6нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±8В.
Перед заказом проверьте артикул SI2377EDS-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT23
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SI2377EDS-T1-GE3
Материалы
Документация
Техническое описание: SI2377EDSEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
