VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SI1922EDH-T1-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SI1922EDH-T1-GE3
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,3А; Idm: 4А; 0,8Вт; ESD
Ток стока: 1,3 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT363 · Корпус: SC70-6 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
VISHAY SI1922EDH-T1-GE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 1,3 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SC70-6; SOT363.
Напряжение сток-исток — 20В; Сопротивление в открытом состоянии — 198мОм; Рассеиваемая мощность — 0,8Вт; Полярность — полевой.
Версия — ESD; Заряд затвора — 2,5нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±8В.
Ток стока в импульсном режиме — 4А.
Перед заказом проверьте артикул SI1922EDH-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 1,3 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SC70-6, SOT363
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SI1922EDH-T1-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
