VISHAY · Полупроводники

VISHAY SI1032R-T1-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD

MPN / артикул: SI1032R-T1-GE3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,14А; Idm: -0,5А; 0,13Вт; SC75A

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSI1032R-T1-GE3
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 0,14 А · Монтаж: SMD · Корпус: SC75A · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD

Фото товара

VISHAY SI1032R-T1-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

VISHAY SI1032R-T1-GE3 — транзистор.

Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 0,14 А.

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SC75A.

Напряжение сток-исток — 20В; Сопротивление в открытом состоянии — 5Ом; Рассеиваемая мощность — 0,13Вт; Полярность — полевой.

Версия — ESD; Заряд затвора — 0,75нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±6В.

Ток стока в импульсном режиме — -0,5А.

Перед заказом проверьте артикул SI1032R-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток стока
0,14 А
Монтаж
SMD
Корпус
SC75A
Тип транзистора
N-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
SI1032R-T1-GE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.