О модели
Описание
VISHAY SI1012CR-T1-GE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 0,63 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SC75A.
Напряжение сток-исток — 20В; Сопротивление в открытом состоянии — 396мОм; Рассеиваемая мощность — 0,15Вт; Полярность — полевой.
Версия — ESD; Заряд затвора — 2нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±8В.
Ток стока в импульсном режиме — 2А.
Перед заказом проверьте артикул SI1012CR-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 0,63 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SC75A
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SI1012CR-T1-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
