STARPOWER SEMICONDUCTOR GD35PJY120L3S — Модули IGBT
Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 35А
Ток коллектора: 35 А · Корпус: L3.0 · Максимальное обратное напряжение: 1200 В · Тип товара: Модули IGBT
Описание
STARPOWER SEMICONDUCTOR GD35PJY120L3S. Категория: «Модули IGBT».
Корпус — L3.0; Максимальное обратное напряжение — 1200 В; Конструкция диода — диод/транзистор; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 35 А; Ток коллектора в импульсе — 70А; Электрический монтаж — Press-in PCB; Механический монтаж — винтами.
Технология — Advanced Trench FS IGBT; Топология — 3-фазный диодный мост; 3-фазный мост IGBT выход OE; boost chopper; термистор NTC; Тип полупроводникового модуля — IGBT.
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 35 А
- Корпус
- L3.0
- Максимальное обратное напряжение
- 1200 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- GD35PJY120L3S
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
