STARPOWER SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
STARPOWER SEMICONDUCTOR GD10PJX65F1S — Модули IGBT
MPN / артикул: GD10PJX65F1S
Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 10А
Ток коллектора: 10 А · Корпус: F1.1 · Максимальное обратное напряжение: 650 В · Тип товара: Модули IGBT
О модели
Описание
STARPOWER SEMICONDUCTOR GD10PJX65F1S. Категория: «Модули IGBT».
Корпус — F1.1; Максимальное обратное напряжение — 650 В; Конструкция диода — диод/транзистор; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 10 А; Ток коллектора в импульсе — 20А; Электрический монтаж — Press-in PCB; Механический монтаж — винтами.
Технология — Trench FS IGBT; Топология — 3-фазный диодный мост; 3-фазный мост IGBT выход OE; boost chopper; термистор NTC; Тип полупроводникового модуля — IGBT.
Перед заказом проверьте артикул GD10PJX65F1S, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 10 А
- Корпус
- F1.1
- Максимальное обратное напряжение
- 650 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- GD10PJX65F1S
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
