SEMIKRON DANFOSS SKIIP 11NAB12T4V1 25231580 — Модули IGBT
Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 8А
Ток коллектора: 8 А · Корпус: MiniSKiiP® 1 · Мощность: 4000 Вт · Максимальное обратное напряжение: 1200 В · Тип товара: Модули IGBT
Описание
SEMIKRON DANFOSS SKIIP 11NAB12T4V1 25231580. Категория: «Модули IGBT».
Корпус — MiniSKiiP® 1; Мощность — 4000 Вт; Максимальное обратное напряжение — 1200 В; Конструкция диода — диод/транзистор.
Напряжение затвор - эмиттер — ±20В; Ток коллектора — 8 А; Ток коллектора в импульсе — 24А; Электрический монтаж — Press-Fit.
Механический монтаж — винтами; Топология — 3-фазный диодный мост; boost chopper; полумост IGBT x3; термистор NTC; Тип полупроводникового модуля — IGBT.
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 8 А
- Корпус
- MiniSKiiP® 1
- Мощность
- 4000 Вт
- Максимальное обратное напряжение
- 1200 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SKIIP 11NAB12T4V1 25231580
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
