SEMIKRON DANFOSS
· Полупроводники
SEMIKRON DANFOSS SEMIX603GB12E4SICP 27895300 — Модули IGBT
MPN / артикул: SEMIX603GB12E4SICP 27895300
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
Ток коллектора: 600 А · Корпус: SEMiX® 3p · Максимальное обратное напряжение: 1200 В · Тип товара: Модули IGBT
О модели
Описание
SEMIKRON DANFOSS SEMIX603GB12E4SICP 27895300. Категория: «Модули IGBT».
Корпус — SEMiX® 3p; Максимальное обратное напряжение — 1200 В; Конструкция диода — транзистор/транзистор; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 600 А; Ток коллектора в импульсе — 1,2кА; Электрический монтаж — Press-Fit; винтами; Механический монтаж — винтами.
Топология — полумост IGBT; термистор; Тип полупроводникового модуля — IGBT.
Перед заказом проверьте артикул SEMIX603GB12E4SICP 27895300, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 600 А
- Корпус
- SEMiX® 3p
- Максимальное обратное напряжение
- 1200 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SEMIX603GB12E4SICP 27895300
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
