SEMIKRON DANFOSS
· Полупроводники
SEMIKRON DANFOSS SEMIX151GD12E4S 27890200 — Модули IGBT
MPN / артикул: SEMIX151GD12E4S 27890200
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А
Ток коллектора: 150 А · Корпус: SEMIX®13 · Максимальное обратное напряжение: 1200 В · Тип товара: Модули IGBT
О модели
Описание
SEMIKRON DANFOSS SEMIX151GD12E4S 27890200. Категория: «Модули IGBT».
Корпус — SEMIX®13; Максимальное обратное напряжение — 1200 В; Конструкция диода — транзистор/транзистор; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 150 А; Ток коллектора в импульсе — 450А; Электрический монтаж — Press-Fit; винтами; Механический монтаж — винтами.
Топология — 3-фазный мост IGBT; термистор; Тип полупроводникового модуля — IGBT.
Перед заказом проверьте артикул SEMIX151GD12E4S 27890200, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 150 А
- Корпус
- SEMIX®13
- Максимальное обратное напряжение
- 1200 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SEMIX151GD12E4S 27890200
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
