SEMIKRON DANFOSS
· Полупроводники
SEMIKRON DANFOSS SEMIX302GB12E4S 27890120 — Модули IGBT
MPN / артикул: SEMIX302GB12E4S 27890120
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
Ток коллектора: 300 А · Корпус: SEMIX2S · Максимальное обратное напряжение: 1200 В · Тип товара: Модули IGBT
О модели
Описание
SEMIKRON DANFOSS SEMIX302GB12E4S 27890120. Категория: «Модули IGBT».
Корпус — SEMIX2S; Максимальное обратное напряжение — 1200 В; Конструкция диода — транзистор/транзистор; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 300 А; Ток коллектора в импульсе — 900А; Электрический монтаж — Press-Fit; винтами; Механический монтаж — винтами.
Топология — полумост IGBT; термистор; Тип полупроводникового модуля — IGBT.
Перед заказом проверьте артикул SEMIX302GB12E4S 27890120, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 300 А
- Корпус
- SEMIX2S
- Максимальное обратное напряжение
- 1200 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SEMIX302GB12E4S 27890120
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
