ROHM SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
ROHM SEMICONDUCTOR RQ3E120ATTB — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: RQ3E120ATTB
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -39А; Idm: -48А; 20Вт; HSMT8
Монтаж: SMD · Корпус: HSMT8 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
ROHM SEMICONDUCTOR RQ3E120ATTB. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — HSMT8; Напряжение сток-исток — -30В; Ток стока — -39А.
Сопротивление в открытом состоянии — 11,3мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 20Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 62нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — -48А.
Перед заказом проверьте артикул RQ3E120ATTB, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- HSMT8
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- RQ3E120ATTB
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
