ROHM SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
ROHM SEMICONDUCTOR RQ3E100BNTB — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: RQ3E100BNTB
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 21А; Idm: 40А; 15Вт; HSMT8
Ток стока: 21 А · Монтаж: SMD · Корпус: HSMT8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
ROHM SEMICONDUCTOR RQ3E100BNTB — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 21 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — HSMT8.
Напряжение сток-исток — 30В; Сопротивление в открытом состоянии — 15,3мОм; Рассеиваемая мощность — 15Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 22нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 40А.
Перед заказом проверьте артикул RQ3E100BNTB, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 21 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- HSMT8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- RQ3E100BNTB
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
