ROHM SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
ROHM SEMICONDUCTOR RGS60TS65DHRC11 — Транзисторы IGBT THT
MPN / артикул: RGS60TS65DHRC11
Транзистор: IGBT; 650В; 30А; 111Вт; TO247-3
Ток коллектора: 30 А · Монтаж: THT · Корпус: TO247-3 · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT THT
О модели
Описание
ROHM SEMICONDUCTOR RGS60TS65DHRC11. Категория: «Транзисторы IGBT THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO247-3; Напряжение коллектор-эмиттер — 650В; Напряжение затвор - эмиттер — ±30В.
Ток коллектора — 30 А; Ток коллектора в импульсе — 90А; Время включения — 46нс; Время выключения — 290нс.
Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 111Вт; Характеристики полупроводниковых элементов — integrated anti-parallel diode; Заряд затвора — 36нC.
Перед заказом проверьте артикул RGS60TS65DHRC11, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 30 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO247-3
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- RGS60TS65DHRC11
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
