Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IKW15N120H3FKSA1 — Транзисторы IGBT THT
MPN / артикул: IKW15N120H3FKSA1
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 30А; 217Вт; TO247-3; H3
Ток коллектора: 30 А · Монтаж: THT · Корпус: TO247-3 · Серия: H3 · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT THT
О модели
Описание
Infineon Technologies IKW15N120H3FKSA1. Категория: «Транзисторы IGBT THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO247-3; Напряжение коллектор-эмиттер — 1,2кВ; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 30 А; Ток коллектора в импульсе — 60А; Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 217Вт.
Характеристики полупроводниковых элементов — integrated anti-parallel diode; Заряд затвора — 75нC; Серия — H3; Технология — TRENCHSTOP™ 3.
Перед заказом проверьте артикул IKW15N120H3FKSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 30 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO247-3
- Серия
- H3
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IKW15N120H3FKSA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
