PanJit Semiconductor
· Полупроводники
PanJit Semiconductor PJW3P10A_R2_00001 — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: PJW3P10A_R2_00001
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -2,6А; Idm: -10,4А; 3,1Вт
Монтаж: SMD · Корпус: SOT223 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
PanJit Semiconductor PJW3P10A_R2_00001. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT223; Напряжение сток-исток — -100В; Ток стока — -2,6А.
Сопротивление в открытом состоянии — 0,23Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 3,1Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 20нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — -10,4А.
Перед заказом проверьте артикул PJW3P10A_R2_00001, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT223
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- PJW3P10A_R2_00001
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
