PanJit Semiconductor
· Полупроводники
PanJit Semiconductor PJT7801_R1_00001 — Транзисторы многоканальные
MPN / артикул: PJT7801_R1_00001
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -700мА; Idm: -2,8А; 350мВт
Монтаж: SMD · Корпус: SOT363 · Тип транзистора: P-MOSFET x2 · Тип товара: Транзисторы многоканальные
О модели
Описание
PanJit Semiconductor PJT7801_R1_00001. Категория: «Транзисторы многоканальные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT363; Напряжение сток-исток — -20В; Ток стока — -0,7А.
Сопротивление в открытом состоянии — 0,6Ом; Тип транзистора — P-MOSFET x2; Рассеиваемая мощность — 0,35Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 2,2нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±8В; Ток стока в импульсном режиме — -2,8А.
Перед заказом проверьте артикул PJT7801_R1_00001, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT363
- Тип транзистора
- P-MOSFET x2
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- PJT7801_R1_00001
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
