О модели
Описание
onsemi NVD5117PLT4G-VF01. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; Напряжение сток-исток — -60В; Ток стока — -61А.
Сопротивление в открытом состоянии — 16мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 59Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 85нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — -419А.
Перед заказом проверьте артикул NVD5117PLT4G-VF01, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- NVD5117PLT4G-VF01
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
