О модели
Описание
onsemi FQD3P50TM. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; Напряжение сток-исток — -500В; Ток стока — -1,33А.
Сопротивление в открытом состоянии — 4,9Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 50Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 23нC; Технология — QFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В.
Перед заказом проверьте артикул FQD3P50TM, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- FQD3P50TM
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
