NEXPERIA
· Полупроводники
NEXPERIA GAN063-650WSAQ — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: GAN063-650WSAQ
Транзистор: N-JFET / N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В
Ток стока: 24,4 А · Монтаж: THT · Корпус: SOT429 · Корпус: TO247 · Тип транзистора: N-JFET / N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
NEXPERIA GAN063-650WSAQ — транзистор.
Тип транзистора — N-JFET / N-MOSFET; Ток стока — 24,4 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — SOT429; TO247.
Напряжение сток-исток — 650В; Сопротивление в открытом состоянии — 50мОм; Рассеиваемая мощность — 143Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 15нC; Технология — GaN; Вид транзистора — HEMT; каскодный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 150А.
Перед заказом проверьте артикул GAN063-650WSAQ, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 24,4 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- SOT429, TO247
- Тип транзистора
- N-JFET / N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- GAN063-650WSAQ
Материалы
Документация
Техническое описание: GAN063-650WSAEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
