NEXPERIA
· Полупроводники
NEXPERIA GAN041-650WSBQ — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: GAN041-650WSBQ
Транзистор: N-JFET / N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В
Ток стока: 33,4 А · Монтаж: THT · Корпус: SOT429 · Корпус: TO247 · Тип транзистора: N-JFET / N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
О модели
Описание
NEXPERIA GAN041-650WSBQ — транзистор.
Тип транзистора — N-JFET / N-MOSFET; Ток стока — 33,4 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — SOT429; TO247.
Напряжение сток-исток — 650В; Сопротивление в открытом состоянии — 35мОм; Рассеиваемая мощность — 187Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 22нC; Технология — GaN; Вид транзистора — HEMT; каскодный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 240А.
Перед заказом проверьте артикул GAN041-650WSBQ, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 33,4 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- SOT429, TO247
- Тип транзистора
- N-JFET / N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- GAN041-650WSBQ
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
