Microchip Technology
· Полупроводники
Microchip Technology TP5322N8-G — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: TP5322N8-G
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -220В; -260мА; Idm: -0,9А; 1,6Вт
Монтаж: SMD · Корпус: SOT89-3 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
Microchip Technology TP5322N8-G. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT89-3; Напряжение сток-исток — -220В; Ток стока — -0,26А.
Сопротивление в открытом состоянии — 12Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 1,6Вт; Полярность — полевой.
Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — -0,9А.
Перед заказом проверьте артикул TP5322N8-G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT89-3
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- TP5322N8-G
Материалы
Документация
Техническое описание: tp5322EN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
