LUGUANG ELECTRONIC
· Полупроводники
LUGUANG ELECTRONIC LGEGW40N120F — Транзисторы IGBT THT
MPN / артикул: LGEGW40N120F
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 40А; 110Вт; TO247
Ток коллектора: 40 А · Монтаж: THT · Корпус: TO247 · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT THT
О модели
Описание
LUGUANG ELECTRONIC LGEGW40N120F. Категория: «Транзисторы IGBT THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO247; Напряжение коллектор-эмиттер — 1,2кВ; Напряжение затвор - эмиттер — ±30В.
Ток коллектора — 40 А; Ток коллектора в импульсе — 120А; Время включения — 134нс; Время выключения — 503нс.
Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 110Вт; Характеристики полупроводниковых элементов — integrated anti-parallel diode; Заряд затвора — 107нC.
Перед заказом проверьте артикул LGEGW40N120F, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 40 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO247
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- LGEGW40N120F
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
