LUGUANG ELECTRONIC
· Полупроводники
LUGUANG ELECTRONIC LGEGW25N120S — Транзисторы IGBT THT
MPN / артикул: LGEGW25N120S
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 25А; 100Вт; TO247
Ток коллектора: 25 А · Монтаж: THT · Корпус: TO247 · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT THT
О модели
Описание
LUGUANG ELECTRONIC LGEGW25N120S. Категория: «Транзисторы IGBT THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO247; Напряжение коллектор-эмиттер — 1,2кВ; Напряжение затвор - эмиттер — ±30В.
Ток коллектора — 25 А; Ток коллектора в импульсе — 80А; Время включения — 57нс; Время выключения — 460нс.
Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 100Вт; Характеристики полупроводниковых элементов — integrated anti-parallel diode; Заряд затвора — 130нC.
Перед заказом проверьте артикул LGEGW25N120S, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 25 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO247
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- LGEGW25N120S
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
