IXYS
· Полупроводники
IXYS IXYT20N120C3D1HV — Транзисторы IGBT SMD
MPN / артикул: IXYT20N120C3D1HV
Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 17А; 230Вт; TO268HV
Ток коллектора: 17 А · Монтаж: SMD · Корпус: TO268HV · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
IXYS IXYT20N120C3D1HV. Категория: «Транзисторы IGBT SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO268HV; Напряжение коллектор-эмиттер — 1,2кВ; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 17 А; Ток коллектора в импульсе — 88А; Время включения — 60нс; Время выключения — 0,22мкс.
Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 230Вт; Заряд затвора — 53нC; Технология — GenX3™; XPT™.
Перед заказом проверьте артикул IXYT20N120C3D1HV, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 17 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO268HV
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXYT20N120C3D1HV
Материалы
Документация
Техническое описание: IXYT20N120C3D1HVEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
