О модели
Описание
IXYS IXBT16N170AHV. Категория: «Транзисторы IGBT SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO268HV; Напряжение коллектор-эмиттер — 1,7кВ; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 10 А; Ток коллектора в импульсе — 40А; Время включения — 43нс; Время выключения — 370нс.
Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 150Вт; Характеристики полупроводниковых элементов — высоковольтный; Заряд затвора — 65нC.
Технология — BiMOSFET™.
Перед заказом проверьте артикул IXBT16N170AHV, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 10 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO268HV
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXBT16N170AHV
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
