IXYS
· Полупроводники
IXYS IXTA28P065T — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: IXTA28P065T
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -65В; -28А; 83Вт; TO263
Монтаж: SMD · Корпус: TO263 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
IXYS IXTA28P065T. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO263; Время готовности — 31нс; Напряжение сток-исток — -65В.
Ток стока — -28А; Сопротивление в открытом состоянии — 45мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 83Вт.
Полярность — полевой; Заряд затвора — 46нC; Технология — TrenchP™; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — ±15В.
Перед заказом проверьте артикул IXTA28P065T, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO263
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXTA28P065T
Материалы
Документация
Техническое описание: IXT 28P065TEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
