ISSI
· Интегральные микросхемы
ISSI IS61VVF409618B-7.5TQL — Памяти SRAM параллельные
MPN / артикул: IS61VVF409618B-7.5TQL
IC SRAM память; 72MbSRAM; 4Mx18bit; 1.8V; 7.5ns; TQFP100; параллельный
Тип микросхемы: память SRAM · Монтаж: SMD · Корпус: TQFP100 · Тип товара: Памяти SRAM параллельные · Рабочее напряжение: 1,8 В
О модели
Описание
ISSI IS61VVF409618B-7.5TQL. Категория: «Памяти SRAM параллельные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Рабочая температура — 0...70°C; Корпус — TQFP100; Рабочее напряжение — 1,8 В.
Тип микросхемы — память SRAM; Вид памяти — SRAM; Структура памяти — 4Mx18bit; Время доступа — 7,5нс.
Виды интерфейса — параллельный; Память — 72Мб SRAM.
Перед заказом проверьте артикул IS61VVF409618B-7.5TQL, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Тип микросхемы
- память SRAM
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TQFP100
- Рабочее напряжение
- 1,8 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IS61VVF409618B-7.5TQL
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
