ISSI
· Интегральные микросхемы
ISSI IS61VPS25636A-200TQLI — Памяти SRAM параллельные
MPN / артикул: IS61VPS25636A-200TQLI
IC: SRAM память; 9MbSRAM; 256kx36bit; 2.5V; 3.1ns; TQFP100
Тип микросхемы: память SRAM · Монтаж: SMD · Корпус: TQFP100 · Тип товара: Памяти SRAM параллельные · Рабочее напряжение: 2,5 В
О модели
Описание
ISSI IS61VPS25636A-200TQLI. Категория: «Памяти SRAM параллельные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Рабочая температура — -40...85°C; Корпус — TQFP100; Рабочее напряжение — 2,5 В.
Тип микросхемы — память SRAM; Вид памяти — SRAM; Структура памяти — 256kx36bit; Время доступа — 3,1нс.
Виды интерфейса — параллельный; Память — 9Мб SRAM.
Перед заказом проверьте артикул IS61VPS25636A-200TQLI, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Тип микросхемы
- память SRAM
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TQFP100
- Рабочее напряжение
- 2,5 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IS61VPS25636A-200TQLI
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
