Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies SPP11N60C3XKSA1 — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: SPP11N60C3XKSA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7А; Idm: 33А; 125Вт; PG-TO220
Ток стока: 7 А · Монтаж: THT · Корпус: PG-TO220 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
О модели
Описание
Infineon Technologies SPP11N60C3XKSA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 7 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — PG-TO220.
Напряжение сток-исток — 650В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,38Ом; Рассеиваемая мощность — 125Вт; Полярность — полевой.
Технология — CoolMOS™; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 33А.
Перед заказом проверьте артикул SPP11N60C3XKSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 7 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- PG-TO220
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SPP11N60C3XKSA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
