Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies SI4435DYTRPBF — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: SI4435DYTRPBF
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,4А; Idm: -50А; 2,5Вт; SO8
Монтаж: SMD · Корпус: SO8 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies SI4435DYTRPBF. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SO8; Напряжение сток-исток — -30В; Ток стока — -6,4А.
Сопротивление в открытом состоянии — 20мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 2,5Вт; Полярность — полевой.
Технология — HEXFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — -50А.
Перед заказом проверьте артикул SI4435DYTRPBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SO8
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SI4435DYTRPBF
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
