Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies SPD18P06P G — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: SPD18P06P G
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -18,6А; 80Вт; DPAK
Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies SPD18P06P G. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; Напряжение сток-исток — -60В; Ток стока — -18,6А.
Сопротивление в открытом состоянии — 0,13Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 80Вт; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул SPD18P06P G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SPD18P06P G
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
