Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRFR5505TRPBF — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: IRFR5505TRPBF
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -55В; -18А; 57Вт; DPAK
Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IRFR5505TRPBF. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; Напряжение сток-исток — -55В; Ток стока — -18А.
Сопротивление в открытом состоянии — 0,11Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 57Вт; Полярность — полевой.
Технология — HEXFET®; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IRFR5505TRPBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRFR5505TRPBF
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
