Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies SPB80P06P G — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: SPB80P06P G
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -80А; 340Вт; D2PAK
Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies SPB80P06P G. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; Напряжение сток-исток — -60В; Ток стока — -80А.
Сопротивление в открытом состоянии — 23мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 340Вт; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул SPB80P06P G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SPB80P06P G
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
