Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRF9530NSTRLPBF — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: IRF9530NSTRLPBF
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -14А; 3,8Вт; D2PAK
Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IRF9530NSTRLPBF. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; Напряжение сток-исток — -100В; Ток стока — -14А.
Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 3,8Вт; Полярность — полевой; Технология — HEXFET®.
Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IRF9530NSTRLPBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRF9530NSTRLPBF
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
