Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies SGB02N120ATMA1 — Транзисторы IGBT SMD
MPN / артикул: SGB02N120ATMA1
Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 6,2А; 62Вт; D2PAK
Ток коллектора: 6,2 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies SGB02N120ATMA1. Категория: «Транзисторы IGBT SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; Напряжение коллектор-эмиттер — 1,2кВ; Ток коллектора — 6,2 А.
Время включения — 23нс; Время выключения — 260нс; Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 62Вт.
Заряд затвора — 11нC; Технология — NPT.
Перед заказом проверьте артикул SGB02N120ATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 6,2 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SGB02N120ATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
