Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPLK80R1K4P7ATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPLK80R1K4P7ATMA1
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 4А; Idm: 8,9А; 37Вт; PG-TDSON-8
Ток стока: 4 А · Монтаж: SMD · Корпус: PG-TDSON-8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPLK80R1K4P7ATMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 4 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-TDSON-8.
Напряжение сток-исток — 800В; Сопротивление в открытом состоянии — 1,4Ом; Рассеиваемая мощность — 37Вт; Заряд затвора — 10нC.
Технология — CoolMOS™; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 8,9А.
Перед заказом проверьте артикул IPLK80R1K4P7ATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 4 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-TDSON-8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPLK80R1K4P7ATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
