Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRG4RC10UDPBF — Транзисторы IGBT SMD
MPN / артикул: IRG4RC10UDPBF
Транзистор: IGBT; 600В; 8,5А; 38Вт; DPAK
Ток коллектора: 8,5 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
Infineon Technologies IRG4RC10UDPBF. Категория: «Транзисторы IGBT SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; Напряжение коллектор-эмиттер — 600В; Ток коллектора — 8,5 А.
Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 38Вт; Характеристики полупроводниковых элементов — integrated anti-parallel diode.
Перед заказом проверьте артикул IRG4RC10UDPBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 8,5 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRG4RC10UDPBF
Материалы
Документация
Техническое описание: irg4rc10udpbfEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
