Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IKD03N60RFATMA1 — Транзисторы IGBT SMD
MPN / артикул: IKD03N60RFATMA1
Транзистор: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600В; 6А; 53,6Вт; DPAK
Ток коллектора: 6 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IKD03N60RFATMA1. Категория: «Транзисторы IGBT SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; Напряжение коллектор-эмиттер — 600В; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 6 А; Ток коллектора в импульсе — 7,5А; Время включения — 17нс; Время выключения — 265нс.
Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 53,6Вт; Характеристики полупроводниковых элементов — integrated anti-parallel diode; Заряд затвора — 17,1нC.
Технология — TRENCHSTOP™ RC.
Перед заказом проверьте артикул IKD03N60RFATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 6 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IKD03N60RFATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
