Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRF7379TRPBF — Транзисторы многоканальные
MPN / артикул: IRF7379TRPBF
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 5,8/-4,3А; 2,5Вт; SO8
Монтаж: SMD · Корпус: SO8 · Тип транзистора: N/P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы многоканальные
О модели
Описание
Infineon Technologies IRF7379TRPBF. Категория: «Транзисторы многоканальные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SO8; Напряжение сток-исток — 30/-30В; Ток стока — 5,8/-4,3А.
Сопротивление в открытом состоянии — 45/90мОм; Тип транзистора — N/P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 2,5Вт; Полярность — полевой.
Технология — HEXFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IRF7379TRPBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SO8
- Тип транзистора
- N/P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRF7379TRPBF
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
