Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRF9952TRPBF — Транзисторы многоканальные
MPN / артикул: IRF9952TRPBF
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8
Монтаж: SMD · Корпус: SO8 · Тип транзистора: N/P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы многоканальные
О модели
Описание
Infineon Technologies IRF9952TRPBF. Категория: «Транзисторы многоканальные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SO8; Напряжение сток-исток — 30/-30В; Ток стока — 3,5/-2,3А.
Сопротивление в открытом состоянии — 0,1/0,25Ом; Тип транзистора — N/P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 2Вт; Полярность — полевой.
Технология — HEXFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В.
Перед заказом проверьте артикул IRF9952TRPBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SO8
- Тип транзистора
- N/P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRF9952TRPBF
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
