Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPU80R4K5P7AKMA1 — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: IPU80R4K5P7AKMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; Idm: 2,6А; 13Вт; IPAK; ESD
Ток стока: 1 А · Монтаж: THT · Корпус: IPAK · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
О модели
Описание
Infineon Technologies IPU80R4K5P7AKMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 1 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — IPAK.
Напряжение сток-исток — 800В; Сопротивление в открытом состоянии — 4,5Ом; Рассеиваемая мощность — 13Вт; Полярность — полевой.
Версия — ESD; Заряд затвора — 4нC; Технология — CoolMOS™ P7; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 2,6А.
Перед заказом проверьте артикул IPU80R4K5P7AKMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 1 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- IPAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPU80R4K5P7AKMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
