Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies F4150R12KS4BOSA1 — Модули IGBT
MPN / артикул: F4150R12KS4BOSA1
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x2; Ic: 150А
Ток коллектора: 150 А · Корпус: AG-ECONO3-4 · Максимальное обратное напряжение: 1200 В · Тип товара: Модули IGBT
О модели
Описание
Infineon Technologies F4150R12KS4BOSA1. Категория: «Модули IGBT».
Корпус — AG-ECONO3-4; Максимальное обратное напряжение — 1200 В; Конструкция диода — транзистор/транзистор; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 150 А; Ток коллектора в импульсе — 300А; Рассеиваемая мощность — 960Вт; Электрический монтаж — Press-in PCB.
Механический монтаж — винтами; Технология — EconoPACK™ 3; Топология — полумост IGBT x2; термистор NTC; Тип полупроводникового модуля — IGBT.
Перед заказом проверьте артикул F4150R12KS4BOSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 150 А
- Корпус
- AG-ECONO3-4
- Максимальное обратное напряжение
- 1200 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- F4150R12KS4BOSA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
