Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPP339N20NM6AKSA1 — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: IPP339N20NM6AKSA1
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 200В; 39А; Idm: 156А
Ток стока: 39 А · Монтаж: THT · Корпус: TO220-3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
Infineon Technologies IPP339N20NM6AKSA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 39 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO220-3.
Напряжение сток-исток — 200В; Сопротивление в открытом состоянии — 33,9мОм; Рассеиваемая мощность — 125Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 15,9C; Технология — OptiMOS™ 6; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 156А.
Перед заказом проверьте артикул IPP339N20NM6AKSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 39 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO220-3
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPP339N20NM6AKSA1
Материалы
Документация
Техническое описание: IPP339N20NM6AKSA1EN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
