Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPB068N20NM6ATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPB068N20NM6ATMA1
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 200В; 134А; Idm: 536А
Ток стока: 134 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPB068N20NM6ATMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 134 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK.
Напряжение сток-исток — 200В; Сопротивление в открытом состоянии — 6,8мОм; Рассеиваемая мощность — 300Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 73нC; Технология — OptiMOS™ 6; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 536А.
Перед заказом проверьте артикул IPB068N20NM6ATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 134 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPB068N20NM6ATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
