Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPN60R360P7S — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPN60R360P7S
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 9А; Idm: 26А; SOT223
Ток стока: 9 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT223 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPN60R360P7S — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 9 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT223.
Напряжение сток-исток — 600В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,36Ом; Заряд затвора — 13нC; Вид канала — обогащенный.
Ток стока в импульсном режиме — 26А.
Перед заказом проверьте артикул IPN60R360P7S, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 9 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT223
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPN60R360P7S
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
